CMP Planarization

CMP 평탄화 공정

CMP는 화학 반응과 기계적 연마를 함께 사용해 웨이퍼 표면을 평탄하게 만드는 공정입니다. 표면 단차를 줄여야 다음 포토공정과 배선 공정이 안정적으로 이어집니다.

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왜 중요한가

CMP는 화학적 반응과 기계적 연마를 함께 사용해 웨이퍼 표면을 평탄화하는 공정입니다. 표면 단차를 줄여야 다음 포토공정과 배선 공정이 안정적으로 이어질 수 있습니다.

핵심 개념

  • Slurry, Pad, Pressure, Rotation은 제거율과 표면 품질을 좌우합니다.
  • Dishing, Erosion, Scratch는 CMP에서 자주 확인해야 하는 대표 불량입니다.
  • 평탄화 품질은 Overlay, 배선 신뢰성, 후속 공정 수율에 영향을 줍니다.

실무와 다음 학습

CMP는 재료, 장비, 공정 조건이 동시에 얽히는 공정입니다. 공정기술은 제거율과 균일도를 보고, 장비기술은 pad 상태와 slurry 공급, endpoint 제어 안정성을 함께 확인합니다.